DDR SDRAM - это первое поколение синхронной динамической памяти с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных. При использовании DDR SDRAM достигается удвоенная скорость работы, в сравнении с SDRAM, за счёт считывания команд и данных не только по фронту, но и по спаду тактового сигнала. За счёт этого удваивается скорость передачи данных без увеличения частоты тактового сигнала шины памяти. Модуль памяти DDR SDRAM 512Mb GOODRAM (GR400D64L3/ 512) имеет параметр CL3, что обозначает величину латентности, равную 3. CAS-латентность - первый и самый важный параметр в таймингах, обозначает число тактов, необходимых для выдачи данных на шину. Модуль памяти DDR SDRAM 512Mb GOODRAM (GR400D64L3/ 512) - работает с тактовой частотой 400 MHz, и с пиковой скоростью передачи данных 3200 МБ/ с.

Характеристики GoodRAM GR400D64L3/512

Общие характеристики
Тип памяти	DDR
Форм-фактор	DIMM
Тактовая частота	400 МГц
Пропускная способность	3200 Мб/с
Объем	1 модуль 512 Мб
Поддержка ECC	нет
Буферизованная (Registered)	нет
Низкопрофильная (Low Profile)	нет

Xарактеристики, комплект поставки и внешний вид товаров могут отличаться от указанных или могут быть изменены производителем без отражения на сайте.