DDR3 SDRAM - это третье поколение синхронной динамической памяти с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных.
Преимущества по сравнению с DDR2:
- более высокая пропускная способность (до 19200 МБ/ с),
- сниженное тепловыделение (результат уменьшения напряжения питания),
- меньшее энергопотреблениие и улучшенное энергосбережение.
Модуль памяти DDR3 4096Mb GOODRAM (GR1333D364L9/ 4G) имеет параметр CL9, что обозначает величину латентности, равную 9. CAS-латентность - первый и самый важный параметр в таймингах , обозначает число тактов, необходимых для выдачи данных на шину.
DDR3 4096Mb GOODRAM (GR1333D364L9/ 4G) - это один модуль памяти на 4 Гб. Память работает с тактовой частотой 1333MHz, и с пиковой скоростью передачи данных 10600МБ/ с.
Характеристики GoodRAM GR1333D364L9/4G
|
| Тип памяти | DDR3 |
| Форм-фактор | DIMM 240-контактный |
| Тактовая частота | 1333 МГц |
| Пропускная способность | 10600 Мб/с |
| Объем | 1 модуль 4 Гб |
| Поддержка ECC | нет |
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
|
| CAS Latency (CL) | 9 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 9 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 9 |
| Activate to Precharge Delay (tRAS) | 24 |
|
| Количество чипов каждого модуля | 16, двусторонняя упаковка |
| Напряжение питания | 1.5 В |
| Количество ранков | 2 |
| Xарактеристики, комплект поставки и внешний вид товаров могут отличаться от указанных или могут быть изменены производителем без отражения на сайте. |
