Модуль памяти SoDIMM DDR3 4GB 1600 MHz Kingston (KVR16LS11/4) - работает с тактовой частотой 1333 MHz, и с пиковой скоростью передачи данных 10600 МБ/с. DDR3 SDRAM - это третье поколение синхронной динамической памяти с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных. Преимущества по сравнению с DDR2:- более высокая пропускная способность (до 19200 МБ/ с), - сниженное тепловыделение (результат уменьшения напряжения питания), - меньшее энергопотреблениие и улучшенное энергосбережение.
Последние SO-DIMM продукты Kingston элитных серий достигли самых высоких позиций в отрасли с DDR3 1600 МГц, они соответствует стандартам JEDEC и имеют высокую стабильность из-за чипов, которые были испытаны и проверены на 100%. Высокое качество продукции, производительность, стабильность и совместимость делают их идеальным выбором для пользователей ноутбуков.
У каждого ноутбука и нетбука есть скрытые возможности. Благодаря модулям памяти SoDIMM DDR3 4GB 1600 MHz Kingston (KVR16LS11/4) Вы узнаете, на что действительно способен ваш компьютер. SODIMM (Small Outline DIMM) - это специальные модули для портативных компьютеров, отличающиеся уменьшенным размером. Этот тип модулей памяти используется также и в коммуникационном оборудовании, где важны их габариты, во все современные ноутбуки устанавливаются модули формата SODIMM.
Kingston в настоящий момент является одним из крупнейших в мире независимых производителей устройств памяти. Компания на протяжении всей своей истории постоянно устанавливает все новые отраслевые стандарты высочайшего качества и надежности. Это стало возможным за счет использования одних из наиболее жестких процедур тестирования в отрасли производства памяти. Компания обеспечивает работу собственного центра бесплатной технической поддержки пользователям и постоянно выводит на рынок инновационные технологии.
Характеристики Kingston KVR16LS11/4
|
| Тип памяти | DDR3L |
| Форм-фактор | SODIMM 204-контактный |
| Тактовая частота | 1600 МГц |
| Пропускная способность | 12800 Мб/с |
| Объем | 1 модуль 4 Гб |
| Поддержка ECC | нет |
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
|
| CAS Latency (CL) | 11 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 11 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 11 |
|
| Количество чипов каждого модуля | 8, двусторонняя упаковка |
| Напряжение питания | 1.35 В |
| Количество ранков | 1 |
| Xарактеристики, комплект поставки и внешний вид товаров могут отличаться от указанных или могут быть изменены производителем без отражения на сайте. |
