Модули памяти DDR3 обеспечивают более высокую скорость, более низкое время задержки, более высокую пропускную способность и уменьшенное энергопотребление по сравнению с модулями памяти DDR2. Модули памяти DDR3 4GB 1600 MHz SAMSUNG (M378B5173BH0-CK
Характеристики Corsair CMY8GX3M2A1600C9
|
Тип памяти | DDR3 |
Форм-фактор | DIMM 240-контактный |
Тактовая частота | 1600 МГц |
Пропускная способность | 12800 Мб/с |
Объем | 2 модуля по 4 Гб |
Поддержка ECC | нет |
Буферизованная (Registered) | нет |
Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
|
CAS Latency (CL) | 9 |
RAS to CAS Delay (tRCD) | 9 |
Row Precharge Delay (tRP) | 9 |
Activate to Precharge Delay (tRAS) | 24 |
|
Напряжение питания | 1.5 В |
Радиатор | есть |
Xарактеристики, комплект поставки и внешний вид товаров могут отличаться от указанных или могут быть изменены производителем без отражения на сайте. |