Модули памяти DDR3 обеспечивают более высокую скорость, более низкое время задержки, более высокую пропускную способность и уменьшенное энергопотребление по сравнению с модулями памяти DDR2. Модули памяти DDR3 4GB 1600 MHz SAMSUNG (M378B5173BH0-CK
Характеристики Corsair CMY8GX3M2A1600C9
|
| Тип памяти | DDR3 |
| Форм-фактор | DIMM 240-контактный |
| Тактовая частота | 1600 МГц |
| Пропускная способность | 12800 Мб/с |
| Объем | 2 модуля по 4 Гб |
| Поддержка ECC | нет |
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
|
| CAS Latency (CL) | 9 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 9 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 9 |
| Activate to Precharge Delay (tRAS) | 24 |
|
| Напряжение питания | 1.5 В |
| Радиатор | есть |
| Xарактеристики, комплект поставки и внешний вид товаров могут отличаться от указанных или могут быть изменены производителем без отражения на сайте. |
